INVITATION

第二屆人工智能傳感器與換能器國際會議將于 7 月 29 日- 8 月 3 日在馬來西亞吉隆坡舉辦。我們誠摯邀請您參加并蒞臨我們的【2】號展位，與技術(shù)銷售工程師 Vincent Mazzola 和應(yīng)用專家 Leandro Sacco 互動交流，體驗 VSParticle 的干法納米打印技術(shù)并了解其在氣體傳感材料研究領(lǐng)域的最新進展！

會議時間：2025 年 7 月 29 日-8 月 3 日

會議地點：馬來西亞吉隆坡美利亞酒店

展位號：2

? VSP 展會亮點搶先看

Part 01.  干法納米打印如何重塑傳感材料研發(fā)路徑？

基于 MEMS 的金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）氣體傳感器技術(shù)相較于傳統(tǒng)監(jiān)測方法具有顯著優(yōu)勢：ppm 級靈敏度、可檢測多種目標氣體、易于微型化、可擴展性強且量程寬。然而，在靈敏度與選擇性方面，現(xiàn)有 MOS 技術(shù)仍難以滿足部分應(yīng)用場景的需求。通過VSParticle-P1 納米打印沉積系統(tǒng)，可顯著提升傳感器的性能指標：一方面通過最（zui）大化比表面積提高靈敏度，另一方面通過精確調(diào)控材料組分實現(xiàn)選擇性優(yōu)化。

VSP-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)基于火花燒蝕（Spark Ablation）與慣性沖擊打印（Inertial Impaction）兩大核心技術(shù)，為氣體傳感器制造提供了革命性解決方案：

1. 火花燒蝕：通過高電壓火花燒蝕瞬間氣化金屬電極，生成超純納米顆粒（NP），可靈活混合金屬氧化物（如SnO?、NiO）、貴金屬催化劑（如Ag）等材料，實現(xiàn)“按需定制”的納米多孔層（NPL）。

    

2. 慣性沖擊打印：將納米顆粒高速沉積于傳感器基底，無需光刻或刻蝕工藝，即可實現(xiàn)圖案化沉積。整個過程規(guī)避了化學污染，確保材料高純度與一致性，顯著提升傳感器性能。

Part 02.  高通量、多組分的快速金屬/氧化物氣體傳感涂層篩選

在本案例中，基于金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）及金屬催化劑的納米多孔層（NPLs）通過印刷方式沉積在多傳感器陣列平臺上，并以甲苯和甲醛作為目標氣體進行測試。最多三種不同組分的 NPLs 被用作傳感層。研究從靈敏度、選擇性、響應(yīng)/恢復(fù)時間及檢出限（LOD）等關(guān)鍵性能指標出發(fā)，系統(tǒng)分析了材料組成對氣體傳感性能的影響。

Part 03.  納米多孔氣敏層沉積服務(wù)：快速打造高性能傳感材料

為了幫助研究人員和開發(fā)團隊更高效地推進氣體傳感器的材料開發(fā)與評估，VSParticle 提供定制化的納米多孔氣敏層沉積服務(wù)，可直接在您的目標基底上構(gòu)建結(jié)構(gòu)可控的高性能敏感材料層。我們能為您提供的服務(wù)包括：

材料定制與沉積

1.使用VSP火花燒蝕技術(shù)（Spark Ablation）生成 1-20nm 粒徑納米顆粒

2可選單元素材料（如Pt、Pd、Au、Ni等），也可配置多組分或摻雜體系

3不依賴溶劑與墨水，實現(xiàn)無掩膜、干式打印

納米結(jié)構(gòu)可控構(gòu)建

1形成高比表面積、多孔連續(xù)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，優(yōu)化氣體擴散路徑與活性反應(yīng)位點

2可根據(jù)需求調(diào)整沉積厚度、粒徑分布、沉積圖案/陣列設(shè)計等關(guān)鍵參數(shù)

3提供單點、微區(qū)圖案化陣列、多位置對比測試布局

下游適配與協(xié)同測試

1可沉積在多種基底上，包括：MEMS芯片、電極結(jié)構(gòu)、玻璃、硅片、陶瓷等

2可選附加服務(wù)：低溫熱處理、導(dǎo)電性能測試、SEM形貌觀察、光譜吸收等

如果您是正在尋找更高效氣敏材料開發(fā)工具的研究人員、關(guān)注傳感器陣列批量工藝與性能一致性的工程專家、尋求低溫兼容性與復(fù)雜結(jié)構(gòu)沉積解決方案的產(chǎn)業(yè)用戶，歡迎來 VSParticle 的展位與我們面對面探討，一起探索干法納米打印技術(shù)在AI氣體傳感中的無限可能！